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50나노급 반도체 신재료 개발


50나노급 차세대 반도체 생산을 실현할 초저유전 박막 제조 기술이 국내에서 개발됐다.

포항공대 화학과 이문호(李文浩·50·사진) 교수 연구팀은 반도체 선폭을 머리카락 2000분의 1 굵기인 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 이하로 줄일 수 있는 나노기공 유전박막을 제조하는 데 성공해 세계적인 과학전문지 ‘네이처 머티리얼스(Nature Materials)’ 인터넷판 9일자에 게재했다고 9일 밝혔다.

컴퓨터의 저장용량과 처리속도를 향상시키려면 반도체 선폭을 얼마나 줄이느냐가 관건인데 현재 세계 반도체 업계는 50nm 실현에 도전하고 있다.

이 교수는 “선폭을 줄일수록 선끼리 전기적 간섭을 일으켜 반도체 기능이 잘 발휘되지 않는다”며 “이 간섭을 최소화하려면 유전율이 2 이하인 절연재료가 필요하다”고 말했다. 유전율은 전기가 통하는 정도를 의미한다.



연구팀은 공 모양의 나노신소재(덴드리머)를 이용해 지름 3nm의 공기 구멍이 균일하게 나 있는 박막을 제조함으로써 유전율 1.6을 실현했다.

이 교수는 “이 유전박막은 안정성과 가공성이 뛰어나 50나노급 이하 차세대 반도체 생산을 실현할 것”이라며 “컴퓨터뿐 아니라 휴대전화 TV 등 모든 전자제품에 적용되는 나노 소재 원천기술”이라고 밝혔다.



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